据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社）
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Self-attention is required. The model must contain at least one self-attention layer. This is the defining feature of a transformer — without it, you have an MLP or RNN, not a transformer.。51吃瓜对此有专业解读
2026-02-28 00:00:00:03014274610http://paper.people.com.cn/rmrb/pc/content/202602/28/content_30142746.htmlhttp://paper.people.com.cn/rmrb/pad/content/202602/28/content_30142746.html11921 本版责编：程 红